CF4-----在电浆下----->2F+CF2
SiO2+4F--->SiF4+2O
SiO2+2CF2--->SiF4+2CO
CF4经过电浆轰击产生F原子跟CF2原子团
F原子跟CF2原子团分别跟SiO2反应生成挥发性的SiF4
F原子跟CF2原子团与Si也能发生反应，但这不是我们想看到的，通过适当调整CF4电浆对晶片表面的离子轰击及所生成的高分子（polymer)层，我们能够做到保护Si而只蚀刻SiO2的高选择比的效果
如果CF4中加如适当的O2的话
CF4+O---->COF2+2F,可见O原子将会消耗很多碳原子，使得F原子的相对比例提高，实际上，在许多半导体工艺中，就是通过这种方式来控制蚀刻速率的
然而实验证明，增加O的含量，CF4对Si的蚀刻速率增加的比对SiO2快，这时我们加入适当的H，通过H+F--->HF来减少F的比例
实际上，半导体SI及SIO2蚀刻工艺中，最重要的就是控制C/F的比例
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