1、放大区:输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区, IC = IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区。三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使UBE>0,UBC<0。
2、截止区: IB = 0的曲线以下的区域称为截止区。实际上,对NPN硅管而言,当UBE<0.5V时即已开始截止,但是为了使三极管可靠截止,常使UBE≤0V,此时发射结和集电结均处于反向偏置。
3、饱和区:输出特性曲线的陡直部分是饱和区,此时IB的变化对 IC的影响较小,放大区的?不再适用于饱和区 。在饱和区, UCE<UBE,发射结和集电结均处于正向偏置。
三极管有很多种不同的工作状态,分别都是什么呢?今天算长见识了
NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件,晶体管的工作区域可以分为三个区域:
截止区:
其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE<=UON且UCE>UBE 。此时iB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的iCEO+在1uA以下,锗管的iCEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。
2.放大区:
其特征是发射结正向偏置(UBE大于发射结开启电压UON)且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE>UON且UCE>=UBE (即UC>UB>UE)。此时的,iC几乎仅决定于iB,而与UCE无关,表现出iB 对 iC的控制作用,iC=βiB。在理想情况下,当iB按等差变化时,输出特性是一组横轴的等距离平行线。(简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.)
3.饱和区:
其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路,UBE>UON且 UCE
在模拟电路中,绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。
NPN型三极管的开关作用
三极管除了有对电流放大作用外,还有开关作用(即通、断作用),当基极加上正偏压时,NPN型三极管即导通处于饱和状态,灯会亮;反之,三极管就不导通,灯不亮。