关于空穴导电的微观解释，以及PN结导电的几个疑问

我很认真的看了你写的问题，我也对半导体物理很感兴趣，希望和你交流。我也在学习这方面的东西。

对于你提到的“同样的问题在纯靠空穴导电的材料中是否也存在？即电子总是在价带中移动而不会跃迁到导带，不过毕竟由于价带的能级低”这句话，

我认为不存在。因为，“电子总是在价带中移动而不会跃迁到导带”是不可能的。 只有在绝对零度的时候，才能让电子全部在价带，即价带全满，导带全空。但事实上，绝对零度永远达不到（热力学第三定律）。所以，材料总会存在自身的热激发，即总会有一部分电子通过热运动跃迁到导带中去，从而在价带中产生等量的空穴。 

好的，继续交流吧。

我再说明一下： 

1、 我说的“价带全满，导带全空”，明确的指明了温度是在 绝对零度，这时候是束缚态。   

2、 再来说说P型半导体吧。没错，P型半导体在价带中存在大量大量的空穴，P型半导体“几乎全靠”空穴导电（称之为多子）。为什么说几乎呢？因为这并不意味着导带中就没有电子，事实上P型半导体导带仍然会有少量的电子（称之为少子）（公式也可以说明这点）。而这个电子就是来源于热激发。

3、再补充一下，“热激发实际上就是掺杂半导体的特性”这话不对呀，热激发不论是掺杂半导体，还是非掺杂半导体（即本征半导体）都有自身热激发现象（除非温度是绝对零度，但这是无法达到的）。

4. 补充一个公式来说明一点，在热平衡状态下，不论是掺杂半导体，还是非掺杂半导体（即本征半导体），都有如下关系：

5.  从公式中也可以看到，价带中的空穴，导带中的电子，二者会同时存在的，并且二者的乘积为定值（当然，前提是处于热平衡状态） 

好的，继续说说吧。

你关心的问题是  ：主要想知道电子在导通的过程中有没有可能在导带和价带间“穿越”（应该主要是由导带到价带）

其实，这个情况是存在的。 PN结，加正向电压的时候，P区的多子（空穴）向N区扩散，N区的多子（电子）向P区扩散。那么，就会有一部分的电子和空穴在中间相遇，发生载流子的复合现象。

事实上，这个载流子的复合过程，就是导带中的电子跌落到价带中添补了空穴，结果是这一对载流子（电子空穴）成对消失。

补充：PN结正偏的时候，P区N区的多子向对方区域扩散的过程中，载流子在势垒区发生复合，至于有多少载流子会被复合掉，有多少载流子能顺利地扩散到对方区域，这个比例大小与外加的正向电压有关系，在不同的电压范围内比例不一样。

都讨论两天了，不知道我的回答您满意吗？