一种固体电介质具有其一定的击穿电压。产生击穿的机理有隧道击穿和雪崩击穿两种。隧道击穿的电压很低，故一般往往是雪崩击穿起着决定作用。
雪崩击穿是通过载流子倍增效应来实现的，当最大电场达到击穿电场时，即发生雪崩倍增而击穿。因此，提高击穿电压的有效途径有如：降低电场；使电场分布均匀（降低最大电场）；避免出现局部电场集中（例如气泡等缺陷）；选用禁带宽度大的电介质（因为倍增效应的本质是本征激发）。
半导体的击穿与此类似。
pn结的击穿还需要考虑pn结的结构和结面的平整度等。
详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
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