单晶硅和多晶硅的区别是:
当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则形成单晶硅。
如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则形成多晶硅。
多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面,多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了,一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高,硅的纯度必须达到九个9。目前,人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。
多晶硅是制造单晶硅的原料。
在电池方面:
单晶硅太阳能电池转化的效率更高一点。
单晶硅与多晶硅的区别在于它们的原子结构排列 单晶是有序排列 多晶是无序排列 主要是有它们的加工工艺决定的 多晶多采用浇注法生产,就是直接把硅料倒入埚中融化定型 而单晶是采取西门子法改良直拉,直拉过程就是一个原子结构重组的过程。