电动车充电器8n60三极管s级是多大电阻

2025-03-13 07:51:04
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8N60 MOSFET晶体管. 目录. 参数. 数据表 (PDF)

制造商零件编号: 8N60

种类: MOSFET

沟道类型: N

最大耗散功率 (Pd): 147

漏源电压 (Uds): 600

栅源电压 (Ugs): 30

最大漏极电流 (Id): 8

最大工作温度 (Tj), °C: 150

导通上升时间 (tr): 60.5

输出电容 (Cd), pF: 105

静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 1

封装形式: TO-220_TO-220F_TO-220F1_TO-262