请教有关STM32操作内部flash的问题

2025-03-10 07:08:58
推荐回答(2个)
回答1:

使用Flash模块调用Flash操作函数,大概顺序是先解锁flash,在擦除,接着写入,最后在上锁的顺序。注意点在于:

  1. 写入flash的代入地址要合法,也就是在正确范围内(详情见技术手册)。

  2. 每次擦除flash单位为1kb或2kb。

  3. 每次写入的字节数量必须是2字节的整数倍,也就是按16位数据为单位写入。

回答2:

在硬件上SDRAM可以通过nGCSi片选信号的连接确定,NandFlash看不出来,内存映射表上也看不出
请教各位,先谢了!
根据读写的block和page计算出来的
nandflash不是norflash,在内存映射上没有地址
读写要看datasheet,发送命令字和地址序列进行读写操作
但是一般的cpu,像2410/2440上面都有操作nandflash的专门的寄存器
熟悉寄存器的相关位的含义就可以操作nandflash了。
这个没有物理地址对应的,要靠寄存器操作实现读写!
nand是块设备,没有物理地址。
NANDFLASH不能线性寻址,(意思就是不能通过地址线产生的地址选通相应的存储单元),它的读写是块读写,所以系统不好给它安排系统地址。