二极管的反向电流:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。
扩展资料:
晶体管的反向电流包括:ICBO和ICEO。
1、ICBO:
ICBO也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。
2、ICEO:
ICEO是指当晶体管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。
二极管中:如果给它加反向电压,反向电压在某一个范围内变化,反向电流(即此时通过二极管的电流)基本不变,好像通过二极管的电流饱和了一样,这个电流就叫反向饱和电流.其他器件中也有类似的情况. 其根本在于PN结的单向导电性。 反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的,同时少数载流子是由本征激发产生的(当温度升高时,本征激发加强,漂移运动的载流子数量增加),当管子制成后,其数值决定于温度,而几乎与外加电压无关。在一定温度T下,由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的,电流的值趋于恒定,这时的电流就是反向饱和电流。
当然是采用瞬间高低温转换柜。达到目标值与时间时。进行额定电流测量。但一定要做好防护避免崩溃爆炸造成损伤。