解释电力电子器件si产品和sic的区别

SI器件和SIC器件的比较两者主要是性能不同。

SiC是什么?

碳化硅(SiC)是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 β-SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α-SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能。

相比于Si器件，SiC功率器件的优势：

作为一种宽禁带半导体材料，SiC对功率半导体可以说是一个冲击。这种材料不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上;在相同反压下，SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。SiC器件的工作温度可以达到600℃，而一般的Si器件最多能坚持到150℃。

因为这些特性，SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于Si 器件难以胜任的场合。以SiC肖特基二极管为例，它是速度最快的高压肖特基二极管，无需反向恢复充电，可大幅降低开关损耗、提高开关频率，适用于比采用硅技术的肖特基二极管高得多的操作电压范围，例如，600V SiC肖特基二极管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二极管可以用作48~60V快速输出开关电源的整流二极管，而1，200V SiC肖特基二极管与硅IGBT组合后可以作为理想的续流二极管。

采用硅材料的MOSFET在提高器件阻断电压时，必须加宽器件的漂移区，这会使其内阻迅速增大，压降增高，损耗增大。阻断电压范围在1，200~1，800V的硅MOSFET不仅体积大，而且价格昂贵。IGBT虽然在高压应用时可降低导通功耗，但若开关频率增加时，开关功耗亦随之增大。因此IGBT在高频开关电源上亦有其本身的限制。而用SiC做衬底的MOSFET，可轻易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其开关特性(结电容值，开关损耗，开关波型等)则与100多伏的硅MOSFET相若，导通电阻更可低至毫欧值。在高压开关电源应用上，完全可取代硅IGBT并可提高系统的整体效率以及开关频率。

价格差异：

单就Si器件和SiC器件的价差来看，确实有较大的差异，但如果从SiC器件带来的系统性能提升来看，将会发现其带来的总体效益远远超过两类器件的价差。在SiC特别适合的高压应用中，如果充分发挥SiC器件的特性，这一整体优势表现得非常明显。

碳化硅 (SiC) 和硅 (Si) 在材料特性和器件性能上有很大的不同。
1. 材料特性：
- 宽禁带：SiC的禁带宽度约为3.3eV，远大于Si的1.1eV。这意味着SiC在高温下具有更好的稳定性和耐受性。
- 高热导率：SiC的热导率远高于Si，使得它在高温，高功率应用中具有优异的散热性能。
- 高击穿场强：SiC的击穿电场强度约是Si的10倍，使得它在高压应用中具有更好的性能。
2. 器件性能：
- 耐受高温工作：由于SiC的宽禁带和高热导率，SiC器件的工作温度可以达到600℃，而一般的Si器件最多能坚持到150℃。
- 小尺寸、高效率：由于SiC的高击穿场强和低耗电，SiC器件可以实现更小的尺寸和更高的能效。
- 适应高频、大功率应用：由于上述特性，SiC器件特别适于制造耐高温的高频大功率器件，应用于Si器件难以胜任的场合。

基于这些优点，SiC已经在电力电子，尤其是能源转换，电动车和可再生能源系统等领域被广泛应用。然而，SiC器件的生产成本和生产技术难度相对于Si器件来说也更高。因此，Si和SiC的选择应视具体应用和考虑成本的情况进行权衡。