SIC大功率器件在半导体方面主要有SIC二极管,SICMOSFET和带SIC二极管的IGBT。SIC材料由于有是高带隙材料,所以他的耐压高,而导通阻抗很低。所以是高功率,高频率,高电压,高温器件首选。其中SICMOSFET的主要特点是耐压高,单体很容易能做到1700V,而不需要用IGBT,由于是多子导通器件没有电流托尾现象,在开关的过程中几乎没有开关损耗,所以频率可以做得很高。目前主要制约应用的地方就是生产工艺不成熟,价格高。目前用得最多就是SIC二极管和MOSFET