VT≈26mV。
三极管的核心是PN结,是两个背对背的PN结。可以是NPN组合,也或以是PNP组合。由于硅NPN型是当下三极管的主流,以下内容主要以硅NPN型三极管为例。
三极管不是两个PN结的简单拼凑,两个二极管是组成不了一个三极管的。工艺结构在半导体产业相当重要,PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构,能制成各样各样的元件,包括IC。
扩展资料:
注意事项:
三极管反向连接,也是可以工作的,只是放大倍数很小,也就区区十几倍,在这种状态下,集电结正向偏置、发射结反向偏置来使用称为反向连接工作,此时基极电流由基区流向集电区,发射极电流则是由发射区流向集电区。
使用时工作电压或脉冲峰值应小于三极管的V,反向击穿电压,在大功率情况下使用应加相应的散热板,挑选三极管时应注意三极管的穿透电流和与之相适应的频率特性。
参考资料来源:百度百科-三极管
VT——温度的电压当量,VT=kT/q=T/11600=0.026V,其中k为波耳兹曼常数(1.38×10–23J/K),T为热力学温度,即绝对温度(300K),q为电子电荷(1.6×10–19C)。在常温下,VT≈26mV。
导通后CE压降。
以硅pn结二极管为例,pn结正向导通电流以扩散电流为主,其电流表达式I=I0exp(qV/KT),I0不变,pn结外加电压每增加KT/q(常温300K下约0.026V),电流I增大一个数量级