BU406是一种NPN型硅材料功率三极管。
相关参数如下:
1、电压,Vceo:200V
2、截止频率 ft,典型值:10MHz
3、功耗,Pd:60mW
4、集电极直流电流:7A
5、直流电流增益 hFE:30
三极管分类
1、按材质分:硅管、锗管
2、按结构分:NPN 、 PNP。
3、按功能分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
4、按功率分:小功率管、中功率管、大功率管
5、按工作频率分:低频管、高频管、超频管
6、按结构工艺分:合金管、平面管
7、按安装方式:插件三极管、贴片三极管
参考资料来源:百度百科——BU406
参考资料来源:百度百科——三极管
BU406是一种NPN型硅材料功率三极管。
三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
扩展资料:
三极管的工作状态:
截止状态:
当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。
放大状态:
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。
饱和导通:
当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化。
这时三极管失去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极管工作时各个电极的电位高低,就能判别三极管的工作状态,因此,电子维修人员在维修过程中,经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压,从而判别三极管的工作情况和工作状态。
参考资料来源:百度百科——BU406
参考资料来源:百度百科——三极管
BU406属于硅NPN型大功率三极管,就是通常说的硅NPN型双极型晶体管。
基本参数:Vceo=200V、Ic=7A、Po=60W、ft=10MHz(国产管通常为6MHz)、Cob=60PF、HFE=20。由于HFE较低,故适用于低频开关电路的功率放大。
BU406是高反压NPN三极管,TO220封装,可用13007代换。
扩展资料:
工作原理
三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。
但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 ,否则会放大失真。
元件作用
电阻R1基极偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。
三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的正反电阻,相差几十倍以上就是正常的。
估算NPN型三极管的电流放大系数的简单方法:
黑表笔接c极,红表笔接e极,在c,b极间接一个50-200K的电阻,查看表针的摆动情况,摆动越大,β值越高。
参考资料来源:百度百科-NPN型三极管
BU406属于硅NPN型大功率三极管,就是通常说的硅NPN型双极型晶体管。基本参数:Vceo=200V、Ic=7A、Po=60W、ft=10MHz(国产管通常为6MHz)、Cob=60PF、HFE=20。由于HFE较低,故适用于低频开关电路的功率放大。管脚封装如下:
BU406是高反压NPN三极管,TO220封装,可用13007代换。