发光二极管的静电击穿电压是多少

LED静电击穿对静电而言，他有四个量决定其‘杀伤力’
1、电量（电荷的多少）
2、电压（对大地而言形成的电位差）
3、接触放电的时间（接触瞬间的时间，越短，说明‘打过来的子弹越快’）
4、放电接触电阻（放电接触的导通程度，电阻小，越畅通啦）
所以，对半导体（含LED）进行抗静电测试时，国际相关标准有明确的上述指标的规定，最后变量为电压，从而，我们讲的LED的静电击穿电压多少伏。。
国际标准中：
人体模式HBM测试：电量150Pf，放电时间5-10Ns（纳秒），电阻1500欧姆

目前从市场上看，抗静电能力在200V——10000V或者更高的水平的LED都有存在。
1000V以下，是很差的；
稍好些会到达2000V；
3000V以上是比较好的。

我厂采用ZY910型LED静电测试仪，值得推荐。你可网上搜索下。

LED静电击穿
是因静电电压超出LED芯片承受指标后，瞬间（nS）将两个电极层之间的某个小小的区域内产生放电，瞬间形成一个高温，将两个电极层间形成一个小小（比电极还要小几倍到几十倍吧）的‘坑’这个坑让两个电极层间有了一个电流回路，视静电强弱和放电速度不同，‘坑’大小也不同，从而LED的静电击穿的漏电也有所不同！轻微击穿的小‘坑’漏电为几微安，大的是毫安级别了；未被静电击伤的LED漏电流式是非常小的，几乎是0微安