1、测Veb:硅三极管:0.7V;锗三极管0.2V-0.3V;2、测Vc;有信号输入及集电极有负载电阻时，Vc小于电源电压;然后将B、E两极短路再测Vc，这时Vc等于电源电压;(B、E两极短路后Vc仍小于电源电压，CE极击穿)3、测Ve:有信号输入及在射极接有负反馈电阻时，测Ve，然后将B、E两极短路再测Ve，这时VE=0。这一方法适用于射极跟随器。
