三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。中间的N区(或P区)叫基区,两边的区域叫发射区和集电区,这三部分各有一条电极引线,分别叫基极B、发射极E和集电极C,是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
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三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
三极管有两类
1、真空三极管
他有阳极、阴极与栅极组成的真空电子管,因为有三个极,故名三极管,是早期的电压控制型器件。过去的电子管收音机、收发报机、电台都会用到。目前由于晶体三极管的出现而淡出。
2、晶体三极管
他有集电极、发射极、基极组成的晶体三极管,因为也是三个极,故名。
晶体三极管按材料分:有硅材料、锗材料(基本已淘汰)
按导电类型分:PNP/NPN型
还可按频率分、按功率分、按功能分、按封装分、耐压分、电流分等等。
由于晶体三极管可以工作在低压,小电流,且耐振动,低功耗等优点。他的出现,代替了真空三极管。当然,晶体三极管也有缺点,如功耗方面还不是最小,输出阻抗小,耐压不如真空管,所以在此基础上,人类又研究发明了场效应管、MOS管、IGBT和可控硅、双向可控硅等。
必须指出,晶体三极管的出现,给集成电路的发明奠定了基础。集成电路中会用到晶体三极管、晶体二极管、电阻、电容、场效应管、MOS管等。
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。