一种现象的外在表现都有内在机理。锗二极管的温度性能和死区电压之间其实内在是有很大关联的,原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低,所以相对不耐温,但是死区小(死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数(负的)的乘积)。因为锗禁带宽度小,所以电子更活跃,受温度的影响更大,外在表现就是温度稳定性差。
温度影响和死区电压没关系,这两者都跟硅锗材料有关,具体是材料中每升高1摄氏度电子的运动剧烈程度
因为锗的温度系数大呀!