如图：
在P型半导体中的多数载流子叫空穴，正电性，另有少量是负性的电子载流子（这是制造工艺及材料纯度造成的，无法完全消除）；N型半导体中正相反，多数载流子是电子，同样会杂有少量的空穴。
当PNP三极管接上电源工作时，P区发射极的空穴就会越过PN结，除少量的空穴与基区（N半导体）的电子复合形成基极电流外，大多数的空穴被集基PN结的高电场拉入集电极区内与电源电子复合，形成集电极电流。由于三极管的基区做得很薄，基区的电子数量远少于射极P的空穴，因此复合的数量远小于集电极区。这就是三极管最重要的特性：电流分配率，Ie=Ib+Ic，Ib与Ic比值相差越大，三极管的电流放大能力就越大。
另有一点说明，人们过去通常认为电流从正极流向负极，但电子流却是从负极流向正极的。
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