mOS管导通后的Vgs是多少？和刚满足导通条件时的电压有什么关系

MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。

N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。

mOS管注意：

1、为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

2、各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性，如结型MOS管栅源漏之间是PN结。N沟道管栅极不能加正偏压，P沟道管栅极不能加负偏压。

MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。

N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。

各型号具体数值不同，一般正负2V都能导通了，最高一般在正负10V左右。