场效应管都有哪些类型

场效应管（FET）是一种电压掌握电流器件。其特色是输出电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。因此特殊运用于高敏锐度、低噪声电路中 。
场效应管的品种许多，按构造可分为两大类：结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。绝缘栅场效应管次要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管） 。MOS管又分为“耗尽型”和“加强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道 。

结型场效应管是应用导电沟道之间耗尽区的宽窄来掌握电流的，输出电阻（105～1015）之间；
绝缘栅型是应用感应电荷的若干来掌握导电沟道的宽窄从而掌握电流的巨细，其输出阻抗很高(栅极与其它电极相互绝缘)。它在硅片上的集成度高，因而在大范围集成电路中占领极端主要的位置 。

以下是几种常见的场效应管类型：
增强型场效应管：
在没有栅极电压时，导电沟道是关闭的。
施加正电压（N通道）或负电压（P通道）时，导电沟道打开，电流得以通过。
耗尽型场效应管：
在没有栅极电压时，导电沟道是开放的。
施加负电压（N通道）或正电压（P通道）时，导电沟道会被压缩或关闭，电流减少。
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：
一种特定类型的场效应管，使用氧化物层作为绝缘体。
可以分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。
具有高输入阻抗和优良的开关特性。
绝缘栅场效应管（IGFET）：
类似于MOSFET，是一种结构上包含绝缘栅的场效应管。
主要用于高频和高功率应用。
结型场效应管（JFET）：
使用PN结作为控制电流流动的方式，通常具有较低的输入电阻。
也可分为N通道JFET和P通道JFET。