TFT-LCD是什么？

　　TFT LCD其实就是一种中底端的液晶显示屏~他早期在笔记本计算机上使用现在大量用在手机~MP3~MP4~等电子产品上~!
　　TFT LCD技术是微电子技术和LCD技术巧妙结合的高新技术。利用微电子精细加工技术和Si材料处理技术，开发大面积玻璃基板上生长Si材料和TFT平面阵列的工艺技术，与日益成熟的LCD制作技术相结合，不断提高产品的显示品质，增强自动化大规模生产能力，大幅度地提高产量，提高合格率，降低成本，性能/价格比向CRT接近。

　　---- 在显示品质方面，以分辨率为例，由CGA（320×200）、VGA（640×480）、SVGA（800×600）、XGA（1024×768）、SXGA（1280×1024）到UXGA（1600×1200），大约7年时间。图1表示TFT LCD分辨率发展速度，基本符合摩尔定律。说明TFT LCD发展速度和计算机芯片发展速度一致，这正是TFT LCD与计算机适配性和发展速度的同步性。

　　---- 表1 各种引线技术

　　最小间隙（μm） 分辨率（线/英寸） 成本（美元/块）
　　COB 280 100 380
　　TAB 170 150 190
　　COG 60 400 110
　　集成技术 25 1000 30

　　---- 为进一步提高TFT LCD分辨率，要减小TFT尺寸，并保证开口率，同时涉及到引线技术的有限性。表1列出当前采用各种引线技术的引线密度。为了解决高分辨率显示，只好采用p-Si材料，把周边驱动的电路集成到屏上。高温多晶硅技术已实现周边驱动电路集成到LCD屏上，应用于投影显示。但多晶硅生产温度高于1000℃，衬底用石英基板，石英板成本高。因此，人们研究开发在玻璃衬底上生长低温p-Si技术，有低压PECVD技术可在玻璃衬底上生长p-Si，还有把a-Si材料重结晶成p-Si，如有金属诱导生长法和激光退火法。当前，低温p-Si TFT LCD的大规模生产，主要采用XeCl准分子激光退火（ELA）技术。用PECVD法在400×500mm2玻璃基板上生长50nm厚度a-Si薄膜，用激光退火重结晶得到如图2所示的p-Si晶粒[1]，图中照片表示不同晶粒大小的扫描电镜形貌。晶粒小于0.3μm时，迁移率与晶粒大小很密切，大于0.3μm开始，空穴迁移率几乎不变，这表明在ELA过程中形成的浅能级陷阱束缚空穴。电子迁移率晶粒尺寸变大，缓慢增加，迁移率为100～200cm2/vs。为了得到均匀的TFT开关特性，p-Si晶粒尺寸控制在1μm左右。

　　---- 图3表示C-MOS结构周边驱动集成电路的n沟道和p沟道p-Si TFT断面图。在玻璃衬底上涂SiN/SiO2层，防止玻璃中碱金属浸入到Si有源层，低电阻合金作为栅极和栅线。防止ELA过程中融蚀a-Si层，在a-Si中H浓度控制在1原子%左右。在n沟道TFT中采用轻掺杂漏极（LDD）结构改善了可靠性和降低暗电流。图4给出n沟道和p沟道TFT I-V特性。沟道宽度（W）和长度（L）分别为9μm和4.5μm，电子和空穴迁移率分别为μn=236cm2/vs和μp=120cm2/vs,阈

LCD是液晶显示屏,液晶显示屏大概分为几种不同的类型:STN,UFB,TFD,TFT,OLED,LTPS..等.

那么,TFT-LCD

TFT屏幕：TFT（Thin Film Transistor薄膜晶体管）是有源矩阵类型液晶显示器（AM-LCD）中的一种， TFT在液晶的背部设置特殊光管，可以“主动”对屏幕上的各个独立的像素进行控制，这也就是所谓 的主动矩阵TFT（active matrix TFT）的来历，这样可以大大提高反应时间，一般TFT的反应时间比 较快，约80ms，而STN则为200ms。如果要提高就会有闪烁现象发生。而且由于TFT是主动式矩阵LCD可 让液晶的排列方式具有记忆性，不会在电流消失后马上恢复原状。TFT还改善了STN 会闪烁（水波纹） 模糊的现象，有效地提高了播放动态画面的能力。与STN相比TFT有出色的色彩饱和度、还原能力和更 高的对比度，但是缺点就是比较耗电，而且成本也比较高。

不同的屏幕 啊啊

TFT是屏幕,