3纳米，是指节点技术的关键尺寸，而这个尺寸不是芯片能用肉眼看到的几何尺寸(一般是毫米到厘米级别），而一般是指栅极长度（gate length）。这个长度是又掩膜版上定义好的尺寸决定的，而在生产过程中决定性的由光刻机来实现（当然也要有光刻胶，腐蚀等技术的支持才能实现）。
1、集成电路尺寸的缩小，也就意味着器件(也叫晶体管)的进一步缩小，也意味着栅长的缩小，栅极的缩小是提升器件开断频率的重要方法之一。频率高了当然就意味着芯片快。
2、但是呢，栅长的减小，导致这个器件很容易烧坏，进而导致整个芯片的瘫痪，比如英伟达A100，采用7nm工艺制造，集成超过540亿个晶体管。虽然芯片出炉的时候就已经做了检测，且集成电路设计中也已做了这方面的考虑，但是这也不能动不动就坏一个吧。
以上两个矛盾之间在一代一代的磨合中实现螺旋式上升，促进了集成电路乃至互联网的大发展。
期间，就是现在好多科研工作者做的事情，想出了千奇百怪的结构优化设计和材料的筛选与改造。这涉及了物理、材料、工艺实现的高精度等富有极大挑战的科学技术，器件栅长的缩小也意味着多方面科学技术的突破。
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