激光快速退火原理

2025-04-02 11:24:04

推荐回答（3个）

回答1：

用激光束照射半导体表面，在照射区内产生极高的温度，使晶体的损伤得到修复，并消除位错的方法。它能有效地消除离子注入所产生的晶格缺陷，同时由于加热时间极短(约为普通热退火的百万分之一)，可避免破坏集成电路的浅结电导率和其它结特性。

回答2：

激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅.传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中,在一定的温度(300°～1200℃)保温退火10～60min[1].

回答3：

传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中。
激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅,在一定的温度(300°～1200℃)保温退火10～60min。
退火是一种金属热处理工艺，指的是将金属缓慢加热到一定温度，保持足够时间，然后以适宜速度冷却。目的是降低硬度，改善切削加工性；消除残余应力，稳定尺寸，减少变形与裂纹倾向；细化晶粒，调整组织，消除组织缺陷。准确的说，退火是一种对材料的热处理工艺，包括金属材料、非金属材料。而且新材料的退火目的也与传统金属退火存在异同。