压敏电阻中除了氧化锌这一主要成分外，还掺有少量的其它金属氧化物。压敏电阻的微观结构中，氧化锌晶粒是一种导电性能良好的材料，晶界层的电阻率高达1GΩ,压敏电阻优异的非线性特性主要由晶界层决定的。当晶界层电场强度低时，此时压敏电阻呈现出高阻状态。
是半导体受应力变形，而产生了电阻变化。
