8N60 MOSFET晶体管. 目录. 参数. 数据表 (PDF)
制造商零件编号: 8N60
种类: MOSFET
沟道类型: N
最大耗散功率 (Pd): 147
漏源电压 (Uds): 600
栅源电压 (Ugs): 30
最大漏极电流 (Id): 8
最大工作温度 (Tj), °C: 150
导通上升时间 (tr): 60.5
输出电容 (Cd), pF: 105
静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 1
封装形式: TO-220_TO-220F_TO-220F1_TO-262
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