二次离子质谱SIMS：二次离子质谱仪测量原理：样品表面与O2以几keV的能量+，铯等离子束（一次离子）照射时，由于在真空中的溅射效果的表面原子释放。其中大部分是要喷射电中性的，但一部分（通常为1％或更少），以正或负离子（二次离子）。的SLM是电场将激发的二次离子，通过磁场中，高频电场质谱分析，以构成样品表面的部件进行定性和定量分析。主要分析1.测定在深度方向的截面的浓度分布的掺杂半导体材料可被确定并在P型N型掺杂剂。主要评价如下。评价剂量分布的变化，卢比，热处理评价评价窜能量污染和交叉污染的评估SRP（扩散电阻）与其他模拟比较器2 SUPREM杂质比较后XJ其他衡量P / N结深度评测评价漆膜分析可以在各个步骤的单晶表面附近，该膜和存在于在深度方向的界面处的杂质浓度分布的确定。主要评价如下。的杂质掺杂剂扩散污染，通过溅射，测定后测量的金属离子注入法测定的CVD等成膜中的杂质膜进行测定的CZ-Si衬底，在杂质中B的BPSG膜的判定的Epi-Si衬底和在界面C，O等的偏析，测定该金属膜3的不良分析的各扩散各种金属的深度方向分析的浓度变化的P·测定微小区域通过评估特定部件的杂质，解析不良状况的安装装置。当小面积分析，两用图像处理技术。主要评价如下。由于溅射显著的物质和材料容易发生迁移测定中的杂质的SIMS测量的应用中，对于表面形状变化的4.其他方面的确定的掩埋部分的晶体管单元的Al焊盘部分的深度方向的杂质的分析特别分析。主要评价如下。通过冷却该样品使用BacksideSIMS动态测量（特别是容易迁移测量元件）作为单晶注入信道质量测定低压CVD-SiN膜MOS晶体管决定在杂质Cu布线结构B杂质的浓度的金属膜的扩散，测定在深度方向上的分布
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