为控制电流的半导体器件;fT=βfo。
三极管,为半导体三极管,为一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区。
当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能;如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积,即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高,放大倍数会下降。fT也可以定义为β=1时的频率。
扩展资料:
三极管使用要求规定:
1、当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。
2、当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,使三极管具有电流放大作用。
3、当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大。
参考资料来源:百度百科-三极管
为控制电流的半导体器件;fT=βfo,F9530N是MOS管,不是三极管。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
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工作原理
MOS管其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。
n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
参考资料:百度百科-三极管
型号:F9530N,MOS场效应管
沟道类型 :N沟道
导电方式:增强型
最大漏极电流:24
参数如下图:
f9530n是P沟道增强型MOS管
这里有详细资料:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf9530n.pdf
P沟道增强型MOS管