在无功补偿中,IGBT和晶闸管有什么区别?

嘿嘿
在我们公司从事无功补偿设备研发、生产、销售的31年里，常常有用户向我们提类似的问题。这样：
它们都是电子开关，在无功补偿中，用来通断电容器，或电抗器的。两者的区别简单的说，就是：晶闸管（也叫可控硅），是电流控制。IGBT是电压控制。可控硅工作频率较低，IGBT可以工作在很高的频率下。
可控硅
晶闸管（也叫可控硅）具有体积小、效率高、寿命长等优点。在强电系统弱电系统中都广泛使用。在自动控制系统中，可作为大功率开关或驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲（或负脉冲）可使其正向（或反向）导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。
IGBT
IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
目前，可控硅的应用更广泛一些，因为其发明早，技术和工艺更加成熟，所以在常规开关中使用较经济。IGBT的目前成本较高，就利用其高频特性好，在各种需要开关速度快的场合。
多说几句：

因为常规的无功补偿柜子的技术很成熟，柜子用的元件也很成熟，所以大量的小厂甚至路边小电器店也敢做补偿柜，这个是很要命的事情，因为行业的技术成熟，不代表生产者的工艺和技术成熟，不代表生产者使用的元件和材料合格，特别是大量低价山寨的补偿控制器充斥市场，价格看上去很诱人，但是一次罚款就够你受的了。
无功补偿，是国家提倡的节能技术，但是专业性较强，需要专业人员来做。更多问题或到这里来讨论：https://zhidao.baidu.com/uteam/view?teamId=36954