s8050三极管基本参数:
类型:NPN。
集电极耗散功率Pc:0.625W(贴片:0.3W)。
集电极电流Ic:0.5A。
集电极-基极电压Vcbo:40V。
集电极-发射极电压Vceo:25V。
集电极-发射极饱和电压Vce(sat): 0.6V。
特征频率f: 最小150MHz。
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档。
放大倍数:B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350。
管脚排列顺序:E、B、C或E、C、B。
S8050是一款小功率NPN型硅管,集电极-基极(Vcbo)电压最大可为40V,集电极电流为(Ic)0.5A。S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。
扩展资料
理论原理:
对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e (Emitter)、基极b (Base)和集电极c (Collector)。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给,从而形成了基极电流Ibo。
参考资料来源:百度百科-S8050
参考资料来源:百度百科-三极管
s8050三极管参数为:
类型:开关型;
极性:NPN;
材料:硅;
最大集电极电流(A):0.5 A;
直流电增益:10 to 60;
功耗:625 mW;
最大集电极-发射极电压(VCEO):25;[1]
特征频率:150 MHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
8050三极管参数:耐压25V,电流:500mA,800mA,1500mA三种,比如长电科技的这三种的型号,分别是S8050,M8050和SS8050.
8050是常用的NPN管,其耐压值25v,Pcm=1w,Id=1.5A,8550是PNP管,二者常作互补使用,其参数与8050完全一样,只是导电极性相反。
类型:开关型; 极性都是NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电(VCEO):25; 频率:150 KHz PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K