TTL电路和CMOS电路的优缺点是什么

集成电路按晶体管的性质分为TTL和CMOS两大类，TTL以速度见长，CMOS以功耗低而著称，其中CMOS电路以其优良的特性成为目前应用最广泛的集成电路。
CMOS是Complementary
Metal
Oxide
Semiconductor（互补金属氧化物半导体）的缩写。(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间看，要么PMOS导通，要么NMOS导通，要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。
TTL全称Transistor-Transistor
Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar
Junction
Transistor
即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。

功耗
ttl门电路的空载功耗与cmos门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,ttl和cmos门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。
速度
通常以为ttl门的速度高于“cmos门电路。影响
ttl门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗p的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越
好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与ttl门电路的情况不同，影响cmos电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容cl。cl是主要影响器件工作速度的原因。由cl所决定的影响cmos门的传输延时约为几十纳秒。
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