模拟电子技术要怎样学才能学好？

站在开发着的角度来说这个问题

讨论Ib的Ic控制问题

我们首先要知道发射极电流是由发射结电压控制的。由于我们已经采取了技术措施，集电极电流集成电路近似等于发射极电流，所以我们可以说集电极电流。

流Ic受发射结电压控制

我们也从晶体管输入特性曲线。我们可以看到，当Vbe与Ib的关系处于特征曲线的近似直线上时，基电流的Ib与发射结电压呈线性关系。因此，可以这样说，集电极电流Ic与基电流Ib成正比。

我们经常从不同的角度看待问题。从电流放大的角度来看，我们刚才说过，集电极电流Ic比基电流Ib大得多，而且它们是成比例的。

在计算时，据说集电极电流Ic由基电流Ib控制。

人们站的角度不同而已

其实，集电极电流Ic还是由发射结电压控制的，等到了高频小信号模型的时候，就会说集电极电流受发射结电压控制了。

Uce电压的作用是收集电子的，它的大小不能决定Ic的大小，从三极管输出特性曲线可以看到，当Ib一定时（也就是Ube一定时），即使Uce增加，Ic就不变了，但是曲线有些上翘，其实这是半导体材料的问题。

实际上，Ie是受从输入端看进去的发射结电压控制的（可以参见三极管高频小信号模型），加Uce电压的时候发射结已经处于导通了，它的影响不在发射结而在集电结，加Uce电压是为了让Ic基本等于Ie，所以说Ic受发射结电压控制，人们为了计算方便把这种控制折算成受Ib控制，就是因为说成这样，使得人们不太容易理解三极管工作的原理。

从输出回路受输入回路信号控制的角度

Ic不是由Ie控制的，但是，Ic其实是由Ie带来的，所以，也可以说Ic受Ie影响的，这也得受三极管制造工艺影响，如果拿两个背靠背二极管的话，怎么也不行。

尽管三极管不是一个理想器件，但是，它的发明已经是具有划时代意义了。

由于它的B极还有少量电流，因为这个电流的存在意味着输入回路有耗能，如果我不耗能就能控制住你输出回路的电流，那这个便宜就大了，所以，后来人们发明了场效应管。

其实，发明场效应管的思想也是与三极管一样的，就是为了用一个电压来控制导线中的电流，只是这回输入回路几乎不耗能了，同时，器件两端的电流相等了。