DDR4与DDR3有什么区别

DDR4与DDR3内存差异一：处理器
　
　每次内存升级换代时，必须支持的就是处理器。Haswell-E平台的内存同IVB-E/SNB-E一样为四通道设计，DDR4内存频率原生支持
2133MHz，这相较IVB-E的DDR3原生1866MHz，起始频率有不小的提升。Haswell-E作为新的旗舰提升最大两点一个是6核升级8
核，另一点是对DDR4的支持。上市初期整体成本相当高，并且不会同时支持DDR3和DDR4内存，所以增加了DDR4普及的门槛。
DDR4与DDR3内存差异二：外型
一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难
以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证
DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
　　接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。
DDR4与DDR3内存差异三：参数
　　DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。
另外就是其它参数的改变，比如容量和电压。
　　DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之
多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方
面，DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更
低。

金手指变成弯曲状等

1、DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状。

2、DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz。

3、DDR4内存容量提升明显，可达128GB。

4、DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低。

5、很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的。

6、DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。

7、在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。

8、这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。

9、DDR4内存将会拥有两种规格。

10、使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6～3.2Gbps。

11、基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。

12、由于通过一 个DRAM实现两种接口基本上是不可能的，因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和差分信号的两种规格产品。