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3结果与讨论

研究性质的Ga和N的空缺，纳米线，我们首先创建

一个镓和N空缺相应的空位浓度2.08 ％的

表面网站标志绿色和红色领域图。 2 （ g11 ）和（ n11 ）

分别。镓和N空缺建立在纳米线的显示图。

2 （ g12 ）和（ n12 ） ，分别。然后，我们增加了空位浓度

从4.17 ％到6.25 ％ ，以便研究影响空位浓度

对磁性的纳米线。第二和第三Ga和N原子

被删除的表面和内部网站在supercell [见图。 2 ] 。我们首先

计算supercell Ga48N48没有任何空缺，结果发现，

放宽原子的立场是重要的原因是大面积。

技嘉GA - N键长在外层边缘沿[ 0001 ]方向响

从1.875到1.900 ˚答：相对于大部分价值2.005 ˚阿，这标志着

收缩5.2 ％ -6.5 ％ 。在中心的纳米线，收缩，是

小于0.2 ％ 。这些值接近收缩报告的其他

密度泛函理论计算。 [ 21 ]的GA - N键长度垂直于纳米线

方向在外层EDGE合同1.2 ％ -2.1 ％ ，而在中心，

收缩小于0.8 ％ 。比较与文学价值。 [ 22 ]
总能量计算，充分几何进行了优化的

所有的配置图。 2 。计算结果的摘要列于表

一，形成能的镓纳米线内的空缺是5.96 ， 5.88 ，

和5.84 eV的相应的职位空缺浓度2.08 ％ ， 4.17 ％ ，和

6.25 ％ ，分别。这些值可比的计算值

6.14 eV的空缺，为镓氮化镓批量。 [ 23 ]而形成的能量

表面网站配置（ g11 ） ， （ g13 ） ，和（ G15号铺位）是4.83 ， 4.92和4.75

EV定级递增，分别。因此，很明显，形成镓表面上的空缺

相比，更容易在纳米线或散装。 N个空缺，形成

精力放在表面的纳米线，也低于在纳米线，

这表明ñ空缺喜欢驻留在纳米线表面。我们

注意到，大型形成能为镓和N空缺的原因

强劲的共价镓- N键和表面出现的空缺，更容易形成

因为没有那么多的债券，必须打破表面

比内纳米。虽然形成能量较高镓空缺

比氮空缺，镓和N都可以产生的职位空缺期间，

增长和沉积过程中由于热涨落。

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